在半导体制造的封装测试环节，温度控制的精度与稳定性直接影响芯片的可靠性、性能及成品率。半导体深冷机（Chiller）作为核心温控设备，通过高精度、多场景的温控能力，为封装测试工艺提供了关键保障。

一、技术原理：高精度温控与动态响应能力

（一）帕尔帖效应与热电转换

半导体深冷机基于帕尔帖效应实现制冷，即当直流电通过N型和P型半导体组成的电偶对时，冷端吸收热量，热端释放热量。通过串联数十至数百对电偶形成热电堆，可实现-100℃至90℃的宽温域控制，温差电动势率（塞贝克系数）和电阻率是决定制冷效率的关键参数。

（二）动态控制系统与梯度控温

深冷机采用两组PID控制回路（主、从回路）结合前馈PV技术，实现温度梯度控制。例如，在芯片测试环节，设备可通过动态调整制冷功率，将测试环境温度波动控制在±0.1℃以内，避免因温度漂移导致测试数据失真。此外，全密闭循环管路设计配合呼吸孔，可延长导热油寿命并防止油雾结霜，确保系统长期稳定运行。

二、应用场景：覆盖封装测试全流程

（一）封装环节的温度控制需求

塑封工艺（Molding）

环氧树脂模塑过程中，模具温度需严格控制。深冷机通过高精度控温确保树脂固化均匀性，避免因温度波动导致元件翘曲或分层。

键合焊接（Die Bonding/Wire Bonding）

金线键合工艺中，键合头温度需在-10℃至+150℃间快速切换。深冷机通过液氮冷热冲击技术实现毫秒级响应，确保引线键合强度达标。

清洗与电镀（Cleaning/Plating）

晶圆清洗环节需控制清洗液温度以优化去污效果，电镀工艺则需维持镀液温度稳定以确保镀层均匀性。深冷机通过板式换热器与管道式加热器实现热交换，将温度波动控制在±0.5℃以内，使电镀层厚度均匀性提升。

（二）测试环节的温度保障需求

老化测试（Burn-in Test）

加速寿命试验中，多工位测试台需在-55℃至+175℃间循环。深冷机通过独立温控通道支持动态负载调节，使测试效率提升，同时降低因温度应力导致的早期失效风险。

终检（Final Inspection）

激光打标与电性能测试环节，深冷机为设备提供恒定环境温度（±0.2℃），确保测试数据可重复性。例如，某功率器件测试项目通过深冷机实现-40℃至+125℃宽域控温，产品直通率提高。

成品测试（Final Test, FT）

FT测试需模拟芯片实际工作场景，检测功耗、温度等参数。深冷机通过与测试机（Tester）和分选机（Handler）联动，为待测芯片提供稳定环境，避免因温度升高导致测试误差。

三、核心价值：提升良率、效率与可靠性

（一）保障产品性能一致性

半导体器件对温度敏感，微小波动可能导致电参数漂移。深冷机通过±0.1℃级精度控温，消除热应力对芯片的影响。

（二）提高生产效率与良率

缩短工艺周期

深冷机快速升降温能力（如从室温降至-40℃仅需5分钟）可缩短封装测试周期。

降低缺陷率

温度波动是导致焊点空洞、树脂分层等缺陷的主因之一。深冷机通过稳定控温，使封装缺陷率降低，显著提升良品率。

（三）支持先进工艺与材料

宽禁带半导体封装

碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等材料对温度更敏感，需在-50℃至+200℃间准确控温。深冷机通过多级复叠制冷技术满足此类需求，推动半导体器件的可靠封装。

先进封装技术兼容性

先进封装工艺对温度均匀性要求高。深冷机通过分布式温控系统，确保晶圆级封装（WLP）过程中温度场一致性，支持2.5D/3D集成技术发展。

半导体深冷机通过高精度温控、动态响应能力及多场景适配性，针对不同封装测试场景，深冷机将提供从单通道（FLTZ变频系列）到多通道（无压缩机ETCU换热单元）的模块化解决方案，并支持非标定制，满足AI芯片、汽车电子等新兴领域的需求。